自老美对我国实施技术封堵后，高科技产业方面影响就比较多，特别是芯片制造方面，即便我们有芯片设计技术，但若没制造能力，同样只能望洋兴叹，故近一年来自力更生造芯片风潮流很盛。但是芯片到底有多难造？各位可能只懂其一不懂其二。
那到底有多难呢？
首先，自然是晶圆的提取，这是芯片制造的基础原料。简单来说，把晶圆切割后，经过光刻加工，最后得到芯片。
芯片制造的晶圆，主要成分是硅，要达到芯片制造标准，对这种“硅晶圆”的硅含量要达到“十一个九”的纯度，即是99.999999999%。一般将纯度为98%左右的粗硅，再经过盐酸氯化和蒸馏，就可以得到高纯度的多晶硅。而多晶硅可以用于光伏产业（太阳能发电），但还不能用于芯片制造，这时还得用柴可拉斯基法（Czochralskiprocess）把多晶硅转换为单晶硅。
说到光刻机，就说到ASML，全球就这一个公司才能提供这种设备。目前最新的设备是采用EUV（ExtremeUltraviolet，极紫外线）对晶圆进行光刻，嗯，也就是三星和台积电最新5nm制程工艺使用的技术。而像Intel，现在还不能挺进10nm制程门槛，是因为还停留在DUV（DeepUltravi，深紫外线）工艺。
极紫外线，波长为13.5nm，与可见光中波长最短的紫光相比，可见光中的紫光波长约为380-450nm。要发出这种光，对技术及工艺等有特别严格的要求。简单来说，就是在ASML光刻机内部，先把极高纯度的金属锡加热到熔化，再将其喷到真空之中。喷出的锡看起来好像一条线，其实是高速移动的，直径为30微米的锡珠（滴），产生的速度是每秒钟5万颗。然后，先用激光照射这些锡珠（滴），使其变为粉饼状，产生更大的表面积。再以高功率的二氧化碳激光照射这些粉饼，这样，就得到了高热等离子体，放射出极紫外线。
当然，光刻机的每一个关键技术都不容易，每一个都是顶尖科技，否则也就不会仅ASML才能做这个。也应该能想到，整个产业链的协同也是必须，不同部件由不同厂商供货，ASML就像最终的集成商。
ASML光刻机这个设备除过技术方面的绝对厉害外，对环境的要求也非常苛刻。其对空气洁净度的要求，做一个简单对比：在美国航空航天署组装詹姆斯·韦伯太空望远镜的无尘房间，其清洁度达到了CleanRoomISO7，也就是每立方米的空气中，大于0.5微米的微粒数量不得超过35.2万个。但是，ASML厂房的清洁度必须达到ISO1，也就是说，每立方米空气中，小于0.1微米的微粒数量不得大于10个（大于该尺寸的微粒不得存在）。而在普通人生活的正常环境，其“污染指数”是ISO1的500万倍。
造芯片的技术不是普通人所能预想的那么简单，我们国家要在这方面更进一步，应该还有不少路要走。
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